据湖北九峰山实验室消息，2024年2月20日，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在九峰山实验室下线。此项成果使用8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆，单片集成光电收发功能，为目前全球硅基化合物光电集成最先进技术。

该项成果可实现超低损耗、超高带宽的高端光芯片规模制造，为目前全球综合性能最优的光电集成芯片。此项成果由九峰山实验室联合重要产业合作伙伴开发，将尽快实现产业商用。

近年来，由于5G通信、大数据、人工智能等行业的强力驱动，光子集成技术得到极大关注。铌酸锂以其大透明窗口、低传输损耗、良好的光电/压电/非线性等物理性能以及优良的机械稳定性等被认为是理想的光子集成材料，而单晶薄膜铌酸锂则为解决光子集成芯片领域长期存在的低传输损耗、高密度集成以及低调制功耗需求提供了至今为止综合性能最优的解决方案。

目前，业界对薄膜铌酸锂的研发还主要集中在3寸、4寸、6寸晶圆的制备及片上微纳加工工艺上。此次九峰山实验室工艺中心研发出首款8寸硅光薄膜铌酸锂晶圆，实现低损耗铌酸锂波导、高带宽电光调制器芯片、高带宽发射器芯片集成。此项成果为薄膜铌酸锂光电芯片的研制与超大规模光子集成提供了一条极具前景的产业化技术路线。

据业界预计，随着调制速率要求的提高，薄膜铌酸锂的优势将更加明显，给未来的通信技术带来巨大的潜力。预计2025年后，薄膜铌酸锂将逐渐商业化。

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