3月2日，拓荆科技发布公告称，公司基于整体战略布局及经营发展的需要，为加快产能规划及产业布局，拟投资建设“高端半导体设备产业化基地建设项目”，本项目由公司及其子公司拓荆创益共同实施。

根据公告，本项目拟选址于沈阳市浑南区，项目占地面积约147亩，其中公司拟购买土地使用权面积约42亩，拓荆创益拟购买土地使用权面积约105亩（具体以实际情况为准）；项目总投资额约为人民币110,000.00万元，其中公司投资金额约为人民币38,000.00万元，拓荆创益投资金额约为人民币72,000.00万元。

目前，拓荆科技已形成 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 等薄膜设备产品系列，广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。

拓荆科技表示，公司本次新建项目通过提升公司半导体薄膜沉积设备的产能，可以进一步推动公司业务规模的持续增长，进而提升公司薄膜沉积设备的市场份额，抓住市场机遇，迅速扩大企业规模。

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