存储器是电子信息处理系统中不可或缺的组成部分。在过去，依靠CMOS工艺的不断进步，存储器的性能得以不断提高。

但近年来，一方面，尺寸微缩导致的晶体管漏电问题越来越严重，在增大存储器功耗的同时，恶化了存储单元的保持特性，存储器的发展遇到较为明显的瓶颈；另一方面，人工智能和物联网等领域的快速发展又对存储器的容量速度以及功耗等性能指标提出了更高的要求。

在这样的背景下，由于嵌入式铁电随机存取存储器(Embedded Ferroelectric Random Access Memory，eFeRAM)具有非易失、高密度、低功耗以及读取速度快等特点，可提高系统的整体性能，因此，嵌入式铁电随机存取存储在近年来备受关注。

近日，北京大学公开了一项名为“一种铁电随机存取存储器阵列及其控制方法”的专利，公开号CN117672288A，申请时间为2023年12月15日。

该据国家知识产权局公告的高专利摘要显示，该发明提供了一种铁电随机存取存储器阵列及其控制方法，属于半导体存储器技术领域。

该发明包括由基本阵列沿横向、纵向重复排列而成的总体阵列，基本阵列包括存储单元、字线、控制线、基本板线、总体板线、基本位线和总体位线，由存储单元沿横向、纵向重复排列成矩阵结构；存储单元包括一个晶体管和一个铁电电容器，晶体管的栅极接字线、漏极接位线、源极接铁电电容器上极板，铁电电容器下极板接板线。

该发明还提供了对该铁电随机存取存储器阵列进行数据写入、数据读出和数据重写的控制方法。此外，该发明层次化的设计方法，可以在不牺牲读出时间与读出窗口的前提下，增大铁电随机存取存储器阵列的规模。

封面图片来源：拍信网