3月20日，春分时期，万物复苏，SEMICON China 2024在上海新国际博览中心拉开了序幕。现场一片繁忙热闹，据悉本次展会面积达90000平方米，共有1100家展商、4500个展位和20多场会议及活动涉及了IC制造、功率及化合物半导体、先进材料、芯车会等多个专区。
本次展会中，碳化硅、氮化镓等第三代半导体产业链格外亮眼，据全球半导体观察不完全统计，共有近70家相关企业带来了一众新品与最新技术，龙头企业颇多，材料方面包括Resonac、天域半导体、天岳先进、天科合达等企业，设备端则如晶盛机电、中微公司、北方华创、迪思科（DISCO）、日本真空技术株式会社（ULVAC JAPAN LTD）、Centrothern、PVA TePla、昂坤视觉等，覆盖了MOCVD、离子注入、衬底片、外延片、功率器件等产业链环节。
TrendForce集邦咨询分析师龚瑞骄表示，本次SEMICON China 2024展会以设备、材料为主，重点包括半导体设备零部件、设备整机、电子化学品、高纯气体、晶圆原材料等，其中可以发现许多国产厂商的身影，特别是在真空阀门、流体控制系统、电源系统等设备零部件领域，以及光刻胶等电子化学品等领域。另外，化合物半导体是本次展会的一大重点，包括碳化硅衬底片、外延片及设备材料等领域，这也与近年来电动汽车、光伏储能等产业的蓬勃发展紧密相关。
总体来看，第三代半导体相关设备壁垒较高，国际厂商依旧占据较大市场。材料上国产厂商则取得了长足进展，如天岳先进、天科合达成功打入全球导电型碳化硅衬底材料市场前十榜单。
展会现场展出了许多半导体材料，如美科瑞先进材料带来了多款抛光液，容大感光、科华、宁波南大光电均展出了光刻胶等材料，第三代半导体材料厂商也非常多，天岳先进携其高品质6英寸、8英寸碳化硅衬底产品亮相展会；天科合达则公开展出了6-8英寸的碳化硅衬底，并首次展示8英寸碳化硅外延片产品；天域半导体重点展示了6/8英寸SiC外延片产品；同光股份在现场展示了6/8英寸高质量碳化硅晶锭和衬底；中电科半导体材料则携山西烁科、河北普兴、南京国盛电子的硅基氮化镓外延、碳化硅单晶衬底、碳化硅外延、硅外延等多款产品参展；中环领先也在现场展示了其外延片产品；贺利氏则现场展示了碳化硅封装材料；南京百识电子则带来了碳化硅外延片；中机新材则展示了SiC衬底辅助材料。
Resonac
Resonac前身是昭和电工（Showa Denko）2020年，Showa Denko收购了规模更大的日立化成（Hitachi Chemical）后正式组建了Resonac化学品集团。本次其主要是带来了半导体材料的解决方案。2023年2月消息，英飞凌与Resonac Corporation签署了全新的多年期供应和合作协议。早在2021年，双方就曾签署合作协议，此次的合作是在该基础上的进一步丰富和扩展，将深化双方在碳化硅材料领域的长期合作伙伴关系。今年1月中旬消息，Resonac CEO Hidehito Takahashi正在准备对日本分散的芯片材料行业进行新一轮整合，并表示这家化学品制造商可能会出手收购关键公司JSR的股份。
山东天岳先进
天岳先进长期专注碳化硅衬底研发，目前该公司已实现6英寸导电型衬底、4-6英寸半绝缘型衬底等产品的规模化供应。目前该公司在8英寸产品上也已经在加速布局，用液相法制备的无宏观缺陷的8英寸衬底更是业内首创。2023年，天岳先进在导电型碳化硅衬底产能和规模化供应能力上持续展现超预期成果。其碳化硅半导体材料项目计划于2026年实现全面达产，届时6英寸导电型碳化硅衬底的年产能将达到30万片。天岳先进品牌负责人表示，在全球前十大功率半导体厂商中，有一半已经建立合作关系。
天科合达
天科合达公开展出了6-8英寸的碳化硅衬底，并首次展示8英寸碳化硅外延片产品，其中8英寸产品包括N形SiC衬底、SiC外延片等，并现场披露了直径、晶型、厚度等相关参数。2023年5月，天科合达与英飞凌签订了一份长期协议，其将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体产品的6英寸碳化硅衬底和晶锭，其供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。根据该协议，第一阶段将侧重于6英寸碳化硅材料的供应，但天科合达也将提供8英寸碳化硅材料，助力英飞凌向8英寸晶圆过渡。
2023年8月，天科合达全资子公司江苏天科合达碳化硅衬底二期扩产项目开工。据悉，江苏天科合达二期项目将新增16万片碳化硅衬底产能，并计划今年6月建设完成，8月竣工投产，届时江苏天科合达总产能将达到23万片。
天域半导体
此次展会现场，天域半导体重点展示了6/8英寸SiC外延片、SiC MOS管等产品。官方表示，公司于2021年开始了8英寸的技术储备，于2023年7月进行了8英寸外延片的产品的小批量送样；超过千片的量产数据表明8英寸SiC外延水平与6英寸外延水平相当。
天成半导体
天成半导体已完成6、8英寸SiC单晶衬底技术攻关，在本次展会展出了8寸导电型SiC衬底。据悉，新开发的6英寸导电型SiC衬底部分TSD缺陷密度低至0个/cm2，部分致命性缺陷BPD则低至32个/cm2；而在量产过程中，可以做到65%的衬底产品TSD＜100个/cm2、BPD＜100个/cm2。
中电科材料
山西烁科、河北普兴、南京国盛电子均为中电科半导体材料的子公司。展会中，山西烁科展示6/8英寸N型及高纯半绝缘型SiC衬底产品，重点展示了350微米厚8英寸碳化硅衬底。其主营产品包含高纯半绝缘碳化硅单晶衬底、N型碳化硅单晶衬底、碳化硅晶体等。据悉，其4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底国内市场占有率超50%，6英寸N型碳化硅衬底已实现产业化，公司还是国内第一家生产出8英寸N型碳化硅衬底和8英寸高纯半绝缘碳化硅衬底的公司，产业规模及工艺技术达国际先进水平。
本次展会上，国盛电子则展示了其8英寸Si和氮化镓外延片，去年12月22日，国盛电子南京外延材料产业基地项目第一枚硅基氮化镓（GaN on Si）外延片正式下线。据悉，该公司拥有LPE、Gemini等公司生产的多种型号外延炉，主要产品包含列从3英寸到8英寸的P型和N型外延片，产能为8万片/月(4英寸等效)。
普兴电子展示了最新的6/8英寸SiC外延片产品。作为国内外延材科领先企业，普兴电子主要产品为各种规格型号的硅基外延片、碳化硅外延片，据悉其大尺寸650V-6500V SiC 外延片已实现量产。
中环领先
中环领先携4-12英寸化腐片、抛光片、退火片、外延片、SOI片等全产品系列亮相展会，其中展示了6/8英寸SiC、GaN外延片。据悉，中环领先专注于半导体材料及其延伸产业领域的研发和制造，目前其第三代半导体材料产品还在加码研发中。
贺利氏
贺利氏（Zadient）现场展示了包括烧结膏、铜线、大面积烧结技术乃至Die Top System(DTS)材料系统在内的完整解决方案，可覆盖新一代碳化硅功率模块封装的各类工程需求。2023年11月，贺利氏宣布收购了一家初创企业Zadient Technologies，宣告进入碳化硅粉料和碳化硅晶锭生长领域。据悉，Zadient成立于2020年，是一家法德合资的碳化硅源粉厂商，不同于国内主流的自蔓延碳化硅粉料合成方法，Zadient公司是通过化学气相沉积（CVD）工艺生产高纯度碳化硅源材料。
河北同光股份
同光股份在现场展示了6/8英寸高质量碳化硅晶锭和衬底。据悉，该公司主要产品包括导电型、半绝缘型碳化硅衬底。目前，同光股份已掌握碳化硅晶体规模化量产关键技术，引进了国内外先进衬底加工及检测设备，全面导入和推行ISO9001、IATF16949质量管理体系，形成了专业、先进、完整、稳定的碳化硅衬底生产线。
南京百识电子
展会上，百识电子展示了其6-8英寸第三代半导体外延产品。百识电子成立于2019年8月，主要生产碳化硅及氮化镓相关外延片，包含GaN on Silicon、GaN on Sic以及SiC on SiC，涵盖功率以及射频微波等应用。
深圳中机新材
深圳中机新材携碳化硅晶圆切磨抛耗材方案中的大部分样品来到展会，中机新材是一家专注于高硬脆材料和高性能研磨抛光材料的技术研发、生产及销售的高新技术企业。尤其在第三代半导体晶圆研磨抛光应用领域，公司取得多项关键性技术突破。
展会现场许多全球知名设备厂商现场展出了其代表性产品，如晶盛机电、中微公司、爱发科等等。
3月20日，SEMI也公布了其最新一季度的半导体设备报告，报告显示全球 12 英寸晶圆厂（前端）设备投资将于明年突破千亿美元大关，而在 2027 年将达创纪录的 1370 亿美元（约 9864 亿元人民币）。据悉，2025 年全球 12 英寸晶圆厂的设备投资将较今年大增 20%，涨幅将创 2021 年以来的新高；而在 2026 和 2027 年将分别增长 12% 和 5%。SEMI 表示，半导体行业前端设备投资的增加得益于多重因素，包括存储领域市场的复苏和对高性能计算（HPC）和汽车应用的强劲需求。
晶盛机电
本次展会中，晶盛机电发布了8英寸双片式碳化硅外延设备、8英寸碳化硅量测设备、12英寸全自动减薄抛光设备三款新品。据悉，该公司围绕“先进材料、先进装备”的双引擎可持续发展战略，持续深化“装备+材料”的协同产业布局。在集成电路用大硅片领域，为行业提供整体设备解决方案；在第三代半导体领域，公司聚焦6-8英寸碳化硅衬底的产业化，致力于从长晶-切磨抛-外延全链条设备的国产替代；在先进制程领域，围绕CVD等核心设备进行研发，延伸半导体产业链高端装备产品布局，坚持“强链补链”推动半导体产业高质量发展。
北方华创
北方华创是我国设备龙头企业，也是目前唯一的平台级半导体设备厂商（设备类型覆盖ICP刻蚀（ICP+CCP）、沉积设备（PVD+CVD+ALD）、清洗、氧化、退火、MFC（气体流量质量控制器）等）。此次展会，北方华创亮相了SiC系列设备产品，覆盖长晶、外延等关键环节。
从近五年财报数据看，北方华创从2019年的40.58亿元营收成长为2023年的220亿元（2023年预计营收在210~230亿元间，取中位），CAGR（年复增长率）为52.6％。净利润从3.09亿元成为至38.80亿元（2023年预计营收在210~230亿元间，取中位），CAGR为88.2％。毛利率稳定在35％~45％间，并呈现上升趋势。
中微公司
中微公司重点发展刻蚀（CCP与ICP）、物理气相沉积和化学气相沉积三大类设备。此外，公司开发的包括碳化硅功率器件、氮化镓功率器件等器件所需的多类MOCVD设备也取得了良好进展，2024年将会陆续进入市场。
大族半导体
大族半导体在本次展会中展示了最新研发的全自动激光全切机，并首次公开展出工业级多波段脉冲激光器、100W飞秒激光器等。碳化硅领域，大族半导体主要带来SiC 晶锭激光切片设备、SiC激光退火设备等产品。据悉，大族半导体主研应用于硅、SiC、砷化镓、GaN等材料的加工工艺，并一直致力开发性能优异的碳化硅切割解决方案。
昂坤视觉
本次展会，昂坤视觉带来了旗下最新的化合物半导体的衬底和外延片的缺陷检测方案。公开资料显示，昂坤视觉成立于2017年，是一家光学测量及检测设备生产商，产品国际闻名。其致力于为化合物半导体光电和集成电路产业提供光学测量和光学检测设备及解决方案，现有产品包括MOCVD在线监测设备、LED照明缺陷检测设备、化合物半导体的衬底和外延片的缺陷检测设备及集成电路缺陷检测设备等。
特思迪
北京特思迪本次展示了最新的减薄、抛光、CMP设备产品。去年10月末消息，特思迪完成B轮融资，其研发出的8英寸碳化硅全自动减薄设备目前已投入市场，8英寸双面抛光设备已通过工艺测试进入量产阶段。
爱发科（ULVAC）
爱发科本次带来了先进综合真空解决方案。其总部位于日本，以真空技术为核心，FPD平板显示制造及PV光伏产业制造设备、半导体及电子部品制造设备、溅射靶材材料、先端材料等为主要业务。此前消息显示，爱发科在第三代半导体的领域中的设备类型有SiC功率半导体器件中的离子注入、溅射、刻蚀及蒸镀设备；GaN HEMT领域则有uGmni系列干法刻蚀设备等。
迪思科（DISCO）
日本半导体制造设备企业迪思科主要在“切、削、磨”技术方面具有优势。据悉，迪思科的设备类型非常广泛，不仅是通用产品，还致力于开发HBM、使用电力效率高的碳化硅（SiC）晶圆的功率半导体等。行业消息显示，DISCO推出的全新的SiC(碳化硅)切割设备，可将碳化硅晶圆的切割速度提高10倍，首批产品已交付客户。据悉，由于碳化硅的硬度仅次于金刚石和碳化硼，硬度是硅的1.8倍，因此切割难度较大。
德国Centrothern
centrotherm是总部位于德国，是全球领先的热处理设备供应商，已有70多年的高温热处理技术的开发经验。此次展会，centrotherm主要展示了快速热退火、高温热氧化等设备。此前行业消息显示，centrotherm2021年8英寸碳化硅炉管设备建立了较为成熟的设备平台体系，其三种热处理设备（栅极氧化炉、退火炉、快速热处理）均可兼容6/8英寸。
德国PVA TePla
德国 PVA TePla是全球碳化硅设备行业隐形冠军，其主要产品是大尺寸硅晶体以及6寸、8寸碳化硅晶体材料生长设备，在本次展会中德国 PVA TePla 向业界展示了多款前沿技术产品并带来了为中国市场定制的碳化硅晶体生长设备“SICN”，其采用的是物理气象传输工艺PVT法生产碳化硅晶体，预计计划今年二季度投入市场。
PVA TePla推出的SICN新品优势
上海邦芯半导体
上海的邦芯半导体主要为客户提供全方位的解决方案，本次展会中邦芯半导体在化合物端带来的设备主要是HongHu TSG150W/200WD，用于6/8英寸功率半导体工艺WCVD设备。HongHu Lvory 150W/200WD，用于6/8化合物半导体加工工艺ICP刻蚀设备。HongHu Coral 150W/200WD，用于6/8化合物半导体加工工艺CCP刻蚀设备。
思锐智能
本次展会，青岛思锐智能带来了离子注入（IMP）和原子层沉积（ALD）技术亮相，今年3月1日，青岛四方思锐智能技术有限公司宣布完成了数亿元B轮融资。思锐智能聚焦关键半导体前道工艺设备的研发、生产和销售，提供具有自主可控的核心关键技术的系统装备产品和技术服务方案。目前，思锐智能已形成“双主业”布局，公司产品包括原子层沉积（ALD）设备及离子注入（IMP）设备。广泛应用于集成电路、第三代半导体、新能源、光学、零部件镀膜等诸多高精尖领域。
杭州西湖仪器
杭州西湖仪器成立于2021年12月主营SiC碳化硅衬底激光切片及剥离设备。公司现有产品主要有SiC衬底激光切片、剥离设备，并有SiC激光平坦化、激光检测、激光划片设备、激光抛光设备正在研发中。
