近日，韩国媒体报道称，三星或将向英伟达独家供应12层HBM3E。报道指出，英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E，后者将向英伟达独家供应12层HBM3E。
据媒体报道，英伟达CEO黄仁勋近期在GTC 2024期间曾在三星电子12层HBM3E实物产品上留下了“黄仁勋认证（JENSEN APPROVED）”的签名，这似乎也从侧面印证了英伟达对三星HBM3E产品的认可。
资料显示，HBM高带宽存储器全称为“High Bandwidth Memory”，具有高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势。在人工智能发展浪潮下，AI大模型应用的加速，推动高性能存储器市场需求不断增长。
据市场研究机构TrendForce集邦咨询数据显示，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1,800K/m）约14%，供给位元年成长约260%。
自2014年全球首款硅通孔（TSV, Through Silicon Via）HBM产品问世以来，经过近10年的发展，目前，HBM存储器技术已经迭代至HBM3E。
从原厂来看，HBM3E市场的竞争主要集中在美光（Micron）、SK海力士、及三星。据悉，上述三大厂商已分别于2023年7月底、8月中、10月初提供8hi（24GB）样品。值得一提的是，今年以来，三大厂商在HBM3E的竞争方面更是你追我赶，均推出了最新的产品。
2月27日，三星宣布推出首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，而这也是三星目前为止容量最大的HBM产品，达36GB。三星指出，其已开始向客户提供HBM3E 12H样品，预计于今年下半年开始大规模量产。
3月初，美光宣布已开始量产其HBM3E高带宽内存解决方案。美光表示，英伟达H200 Tensor Core GPU将采用美光8层堆叠的24GB容量HBM3E内存，并于2024年第二季度开始出货。
3月19日，SK海力士宣布成功量产超高性能用于AI的存储器新产品HBM3E，实现了全球首次向客户供应现有DRAM最高性能的HBM3E。
集邦咨询认为，自2024年起，市场关注焦点将由HBM3转向HBM3e，预计下半年将逐季放量，并逐步成为HBM市场主流。
据集邦咨询调查，2024年第一季由SK海力士率先通过验证，美光紧跟其后，并于第一季底开始递交HBM3e量产产品，以搭配计划在第二季末铺货的NVIDIA H200。三星由于递交样品的时程较其他两家供应商略晚，预计其HBM3e将于第一季末前通过验证，并于第二季开始正式出货。由于三星HBM3的验证已经有了突破，且HBM3e的验证若无意外也即将完成，这也意味着该公司的出货市占于今年末将与SK海力士拉近差距。
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