联华电子（UMC）于2025年10月22日正式发布全新的55纳米BCD（双极-互补金属氧化物半导体）工艺平台，标志着公司在电源管理领域迈出重要一步。该平台支持在单一芯片上集成模拟、数字与电力元件，广泛应用于电源管理及混合信号集成电路，旨在提升移动设备、消费电子及汽车工业产品的能效表现及可靠性。
联电的55nm BCD平台包含三种制程工艺：
- 非外延（Non-EPI）工艺：提供高性价比方案，适合移动及消费电子设备的电源效率与模拟性能需求。
- 外延（EPI）工艺：符合严格的汽车行业AEC-Q100 Grade 0标准，支持最高150V操作电压，增强汽车电子设备在极端环境下的可靠性。
- 绝缘层上硅（SOI）工艺：符合AEC-Q100 Grade 1标准，具备优异的抗噪声特性和超低漏电流，适合高端汽车及工业应用。
联电技术研发副总经理徐世杰指出，55nm BCD平台是公司BCD技术布局的重要里程碑，完善了特殊制程产品组合，提升了电源管理市场的竞争力。尽管55nm BCD技术市场已有多年应用，联电此次推出的新平台集成了卓越的组件特性，助力客户开发创新电源解决方案，涵盖智能手机、可穿戴设备、汽车、智能家居及智能工厂等多领域。
此外，55nm BCD平台整合了超厚金属层（UTM）、嵌入式闪存（eFLASH）以及忆阻器（RRAM）等先进技术。这些融合不仅提升了平台性能与系统集成度，还实现了更小芯片面积与更低功耗，展现优异的抗噪声能力，为电源电路设计带来更高灵活性及可靠性。
