1月11日，瑞萨电子与氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”）于宣布双方已达成最终协议。

根据该协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股，较Transphorm在2024年1月10日的收盘价溢价约35%，较过去十二个月的成交量加权平均价格溢价约56%，较过去六个月的成交量加权平均价格溢价约78%。此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元。

据披露，Transphorm董事会已一致批准最终协议，并建议Transphorm股东通过该最终交易并批准合并。在签署最终协议的同时，持有Transphorm约38.6%已发行普通股的KKR Phorm Investors L.P.已与瑞萨签订惯例投票协议以支持本次交易。

该交易预计将于2024年下半年完成，但需获得Transphorm股东的批准、监管部门的许可和其他惯例成交条件的满足。

资料显示，Transphorm为高压功率转换应用设计和制造高性能和高可靠性的GaN半导体，拥有超过1000项自有或许可专利的功率GaN IP产品组合，生产业界首款符合JEDEC和AEC-Q101标准的高压GaN半导体器件。Transphorm的创新使电力电子技术突破了硅的限制，实现了超过99%的效率、提高了50%的功率密度并降低了20%的系统成本。Transphorm总部位于加利福尼亚州戈利塔，并在日本会津和戈利塔设有制造工厂。

瑞萨电子表示，此次收购将为公司提供GaN（功率半导体的下一代关键材料）的内部技术，从而扩展其在电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电源以及快速充电器/适配器等快速增长市场的业务范围。

据悉，瑞萨电子将采用Transphorm的汽车级GaN技术来开发新的增强型电源解决方案，例如用于电动汽车的X-in-1动力总成解决方案，以及面向计算、能源、工业和消费应用的解决方案。

作为碳中和的基石，对高效电力系统的需求正在不断增加。为了应对这一趋势，相关产业正在向以碳化硅（SiC）和GaN为代表的宽禁带（WBG）材料过渡。这些先进材料比传统硅基器件具备更广泛的电压和开关频率范围。在此势头下，瑞萨电子已宣布建立一条内部SiC生产线，并签署了为期10年的SiC晶圆供应协议。

碳化硅方面，TrendForce集邦咨询数据显示，随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%。并预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。

而GaN功率元件市场的发展主要由消费电子所驱动，核心仍在于快速充电器，其他消费电子场景还包括D类音频、无线充电等。此前业界人士认为，氮化镓已经到了一个新的拐点，不仅可以应用于充电器快充市场，还可以用于储能、充电站等领域。

据TrendForce集邦咨询《2023 GaN功率半导体市场分析报告 - Part1》显示，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。

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