又一存储大厂闪存层数迎来新突破！近期外媒报道，在今年2月即将召开的国际固态电路峰会ISSCC上，三星电子将推出下一代 V9 QLC NAND解决方案，闪存层数将达到280层。

三星280层NAND来了
层数之战尚未结束

据悉，三星V9 QLC存储密度每平方毫米达到28.5Gb，最大传输率可达3.2 Gbps，比目前最好的QLC产品（2.4 Gbps）高出了一截，甚至可以满足未来PCIe 6.0方案的需求。

同时，业界认为，三星V9 QLC也将是迄今为止闪存密度最高的解决方案。

在三星之前，包括美光、SK海力士等在内的存储大厂闪存层数均已突破200层，其中美光达到232层，存储密度为每平方毫米19.5Gb，SK海力士达到238层，存储密度每平方毫米为14.4Gb。

当然，280层并不是存储大厂层数较量的终点，未来将有更高层数的突破。

2023年8月，SK海力士对外展示全球最高层321层NAND闪存样品，一跃成为业界首家正在开发300层以上NAND闪存的公司，计划于2025年量产。据悉，SK海力士321层1Tb TLC NAND的效率比上一代238层512Gb提高了59%。这是由于数据存储的单元可以以更多的单片数量堆栈至更高，在相同芯片上实现更大存储容量，进而增加了单位晶圆上芯片的产出数量。

其他厂商方面，美光计划232层之后推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品。三星雄心壮志计划2030年V-NAND可以叠加到1000多层。铠侠和西部数据在162层之后，2023年对外展示了218层技术，之后也将研发300层以上的3D NAND产品。

存储器市况反弹
NAND Flash价格走势如何？

受经济逆风、消费电子市场需求低迷影响，存储器产业迎来了较为漫长的调整时期。直到2023年第四季度存储器市况迎来反弹，相关存储大厂业绩也实现扭亏为盈。

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，NAND Flash产品合约价格自2022年第三季开始连续四个季度下跌，直到2023年第三季开始起涨。在面对2024年市场需求展望仍保守的前提下，NAND Flash价格走势取决于供应商产能利用率情况。

集邦咨询认为第一季NAND Flash合约价将上涨18~23%，第二季合约价季涨幅将收敛至3~8%。第三季进入传统旺季，合约价季涨幅有机会同步扩大至8~13%。第四季在供应商能够维持有效的控产策略的前提下，涨势应能延续，NAND Flash合约价季涨幅预估0~5%。

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