据英国《金融时报》报道，佳能表示，首批客户将于今年或明年收到第一台NIL设备，不过这将用于试运行。

报道称，这些新设备的工作原理是在晶圆上压印印记，而不是使用典型的光刻技术进行光学刻录，据称与行业巨头ASML的EUV设备相比，其能耗降低了90%。

去年，佳能推出了首款纳米压印光刻（NIL）设备，该设备可以与ASML的极紫外（EUV）和先进的深紫外（DUV）光刻系统竞争。

佳能光学产品业务负责人Hiroaki Takeishi表示，希望佳能能够在2024年和2025年开始发货这些设备。这项独特的技术将有助于制造简单、低成本的尖端芯片。

根据报道，佳能首先会将应用目标放在3D NAND工艺制造，而不是更加复杂的微处理器。

佳能表示，其纳米压印光刻机的战略不是取代晶圆厂的DUV和EUV工具，而是与现有工具共存。

封面图片来源：拍信网