据《韩国经济日报》报道，为提高质量和产量，三星电子近期在存储芯片部门内成立了一个新的高带宽存储（HBM）团队。
该团队将由三星公司执行副总裁兼DRAM产品和技术主管Hwang Sang-joon领导，但目前尚未决定该部门将有多少员工。报道指出，这是继今年1月推HBM特别工作组后，三星成立的第二个HBM专门团队。
HBM是一种新型的CPU/GPU内存芯片，全称为High Bandwidth Memory，即高带宽存储器，专门用于高性能计算和图形处理领域，具有高带宽、低延迟和低功耗等特点，被广泛应用于高性能计算（HPC）、人工智能（AI）等领域。
经过HBM、HBM2、HBM2E和HMB3几代技术更迭，目前，HBM3E是人工智能应用中性能最佳的DRAM，也是第五代DRAM内存。
目前，HBM市场竞争主要集中在SK海力士、三星及美光三大原厂。集邦咨询此前预计，2023年三大厂商在HBM领域的市占率分别为53%、38%、9%。
进入2024年以来，各大厂商之间的竞争也愈发激烈。其中美光8层堆叠的24GB容量HBM3E内存将于2024年第二季度开始出货；SK海力士于3月19日宣布其超高性能AI存储器HBM3E开始向客户供货；三星则预计将于今年下半年开始大规模量产12层堆叠HBM3E DRAM，目前已开始向客户提供样品，此外，三星计划2025年投产下一代HBM4。
事实上，随着AI人工智能爆发来袭，高性能计算推动数据中心对HBM的需求激增。
据TrendForce集邦咨询数据显示，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1,800K/m）约14%，供给位元年成长约260%。
在广阔的市场前景推动下，全球HBM产能逐渐告急。SK海力士和美光此前均表示，公司2024年的HBM已经售罄。面对强大的产能需求，各大厂商开始扩充产能，其中以三星和SK海力士最为积极。
据集邦咨询观察，三星HBM总产能至年底将达约130K（含TSV）；SK海力士约120K，但产能会依据验证进度与客户订单持续而有变化。
三星执行副总裁兼DRAM产品与科技部长Hwang Sang-joong近日在Memcon 2024会议上表示，三星HBM产能有望年增2.9倍，高于其稍早在CES 2024期间提到的2.4倍。此外，三星预测，该公司2026年HBM出货量比2023年高13.8倍，2028年比2023年高23.1倍。
SK海力士则计划将2024年的生产重心放在HBM等高端存储产品上，预计今年HBM产能对比去年将增加1倍以上。SK海力士Kwak Noh-Jung近日在股东大会上亦表示，预计2024年HBM占整体DRAM销售达两位数，2025年供应依旧紧张。
至于美光，该公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra此前在2024财年第二财季财报会议上表示，2025年大部分产能的供应已经分配完毕，预计HBM产品的出货占比将在明年大幅度攀升。
封面图片来源：拍信网
