“芯”闻摘要
HBM产值比重预估
NAND Flash合约价预测
先进封装产能告急
美光公布最新业绩
12英寸晶圆厂投资火热
SK海力士HBM3E量产
六家半导体企业IPO新进展
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HBM产值比重预估
由于HBM售价高昂、获利高，进而造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1,800K/m）约14%，供给位元年成长约260%。此外，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。
TrendForce集邦咨询观察，以HBM产能来看，三星、SK海力士（SK hynix）至今年底的HBM产能规划最积极，三星HBM总产能至年底将达约130K（含TSV）；SK海力士约120K，但产能会依据验证进度与客户订单持续而有变化。另以现阶段主流产品HBM3产品市占率来看，目前SK海力士于HBM3市场比重逾9成，而三星将随着后续数个季度AMD MI300逐季放量持续紧追...详情请点击《研报 | 2024全年HBM供给位元年增预估高达260%，产能将占DRAM产业14%》
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NAND Flash合约价预测
据TrendForce集邦咨询研究显示，在NAND Flash涨价将持续至第二季的预期下，部分供应商为了减少亏损、降低成本，并寄望于今年重回获利。今年三月起铠侠/西部数据率先将产能利用率恢复至近九成，其余业者均未明显增加投产规模。
TrendForce集邦咨询进一步表示，为应对下半年旺季需求，加上铠侠/西部数据本身库存已处低水位，本次扩大投产主要集中112层及部分2D产品，有望在今年实现获利，并进一步带动2024年NAND Flash产业供应位元年增率达10.9%...详情请点击《研报 | NAND Flash合约价涨幅最新预测：自Q2起将收敛至10~15%》
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先进封装产能告急
3月18日，据中国台湾经济日报报道，台积电将在台湾地区嘉义科学园区先进封装厂新厂加大投资，园区将拨出六座新厂用地给台积电，比原本预期的四座多两座，总投资额逾5000亿新台币（约合人民币1137亿元），主要扩充晶圆基片芯片（CoWoS）先进封装产能。另据其他媒体消息显示，台积电正考虑在日本建设先进的芯片封装产能，选择之一是将其CoWoS封装技术引入日本。
3月18日晚间，台积电官方虽未证实六座新厂及日本扩建封装厂的消息，但其表示，因应市场对半导体先进封装产能强劲需求，台积电计划先进封装厂将进驻嘉义科学园区...详情请点击《先进封装产能告急！》
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美光公布最新业绩
当地时间3月20日，存储大厂美光科技公布截止2024年2月29日的2024财年第二季度业绩。受惠于人工智能AI对HBM的强烈需求，美光科技该财季意外实现转亏为盈，且本季财测优于预期。
数据显示，美光科技2024财年第二季度收入为58.2亿美元，上一季度为47.3亿美元，去年同期为36.9亿美元，同比增长约57.7%，增速远超第一财季的15.6%，高于51亿到55亿美元的公司自身指引区间。另外，2024年第二季度资本支出投资净额为12.5亿美元...详情请点击《存储大厂业绩高于预期》
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12英寸晶圆厂投资火热
尽管近期市场传出英特尔等半导体大厂推迟美国晶圆厂投运的消息，但是随着市场需求逐渐回温，以及AI等高性能应用驱动，全球晶圆厂尤其是12英寸晶圆厂的投资热潮仍在继续。
近期，国际半导体产业协会（SEMI）对外表示，由于存储器市场的复苏以及高性能计算、汽车应用的强劲需求，全球应用于前道工艺的300mm（12英寸）晶圆厂设备投资，预计将在2025年首次突破1000亿美元，达1165亿美元，增长20%，2027年将达到1370亿美元，增长5%。
近年，包括台积电、三星电子、英飞凌、英特尔、铠侠、美光等厂商都在增加12英寸晶圆厂产线。今年以来，多家12英寸晶圆厂迎来新进展...详情请点击《12英寸晶圆厂投资热潮持续》
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SK海力士HBM3E量产
2024年3月19日，SK海力士今日宣布，公司率先成功量产超高性能用于AI的存储器新产品HBM3E*，将在3月末开始向客户供货。这是公司去年8月宣布开发完成HBM3E后，仅隔7个月取得的成果。
HBM3E不仅满足了用于AI的存储器必备的速度规格，也在散热等所有方面都达到了全球最高水平。此产品在速度方面，最高每秒可以处理1.18TB（太字节）的数据，其相当于在1秒内可处理230部全高清（Full-HD，FHD）级电影...详情请点击《全球首次投入量产，SK海力士超高性能AI存储器HBM3E开始向客户供货》
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六家半导体企业IPO最新进展
近日，半导体IPO板块动作频频。志橙股份、英诺赛科、汇成真空、联明电源、莱普科技、捷希科技等多家半导体企业IPO申请迎来新进展，涉及领域涵盖射频、芯片设计、半导体设备、半导体材料等。
3月17日，志橙半导体更新了一版招股书（申报稿），并对首轮问询、第二轮问询、第三轮问询的回复内容进行了更新。志橙股份计划募资8亿元，其中3.15亿元将用于SiC材料研发制造总部项目，2.87亿元用于SiC材料研发项目，1.98亿元用于发展和科技储备资金。
2月28日，证监会披露了关于同意汇成真空首次公开发行股票注册的批复，同意汇成真空创业板IPO注册申请。本次拟募集资金约2.35亿元，分别用于研发生产基地项目、真空镀膜研发中心项目、补充流动资金项目...详情请点击《六家半导体企业IPO最新进展！》
封面图片来源：拍信网
